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第四百一十三章 性能优异的碳基光刻胶（第1页）

‘碳基紫外光引发剂’的核心成分光敏引发剂的制造过程相当复杂，哪怕其中一大半以上的步骤可以通过智能程序进行控制，其制备失败的概率也不低。

即便是韩元，也折腾了两天的时间，经历了三次不同时期的失败，才将光敏引发剂的两种合成材料制备出来并合成出来完整的增感剂。

制备出来的增感剂整体无色透明，宛如蜂蜜一样粘稠。

这些光敏引发剂装在用聚酯材料构成的棕色瓶中，保存在温度控制在十度的漆黑冰箱中。

之所以不用玻璃容器装，是因为成型后的光敏引发剂会和硅进行反应。

而存储环境避光，原理也一样。

从‘光敏引发剂’这个名字就能知道，这种材料对于光照的敏感度相当高，接触光照会引发材料的性质变化。

所以合成出来后，一直到使用前，整体都必须要避光保存。

包括使用‘光敏引发剂’合成的‘碳基紫外光引发剂’，也就是碳基芯片光刻胶，都得在避光环境下保存。

被取出来后，碳基光刻胶会逐渐因为接受到了光照、接触了外界基底等因素而失效，时间大概是一个小时左右。

当然，如果仅仅是保存的话，通过避光、真空等手段，这种碳基光刻胶还是可以保存相当长的一段时间的。

像韩元这种使用棕色的聚酯瓶避光非真空保存，可以保存大概两年的时间。

如果保存手段更严谨一点，保存的时间可以增加至三年左右。

这已经足够了。

.......

花费了一周的时间，从溶剂组到增感剂到感光树脂，韩元将其一一合成了出来，并组装成了最终可用于石墨烯单晶晶圆上的光刻胶。

成型的光刻胶整体半透明，带着微微乳白色，透光度相当高。

韩元保存好大部分的光刻胶后，取了一小部分做了个实验。

之前制备完成切割好的石墨烯单晶晶圆取出来一小片，其中一半的面积涂抹上光刻胶，另一半则保持原样。

处理好后的石墨烯单晶晶圆通过紫外光源进行照射，时间为期三十秒。

三十秒的照射时间过后，韩元将其取出，通过特殊溶液清洗掉上面覆盖的碳基光刻胶，然后浸入显影溶液中。

虽然浸泡在溶液中的石墨烯晶圆肉眼看不出什么变化，但当韩元用镊子夹住晶圆在显影溶液中轻轻晃荡的时候，就可以看到显影溶液的颜色变化了。

那是被显影溶液侵蚀掉并冲走了的石墨烯材料导致的。

.......

将石墨烯晶圆从显影溶液中取出，清晰掉上面残留的液体，透过观察设备，可以清晰的看到这一块石墨烯晶圆表面已经有了相当大的变化。

没有被碳基光刻胶覆盖的区域已经被显影溶液侵蚀的差不多了，而覆盖了光刻胶的另一半则并没有什么太明显的变化。

这就是负性光刻胶的功劳了。

它覆盖在石墨烯单晶晶圆表面后，通过紫外光照，可以在短时间内迅速变态，改变覆盖区域的石墨烯结构，增强其对显影溶液的抗性，让其变得不容易被侵蚀。

而没有覆盖光刻胶的地方，就会被侵蚀掉，形成与遮光物的形状相反的样子。

也就是形成掩膜版相反的模样。

这就是芯片通过光刻机雕刻的最主要原理，也是光刻胶在芯片制造过程中异常重要，甚至堪比光刻机的主要原因。

检查了一下被显影液侵蚀的石墨烯单晶晶圆，得到各种信息数据后，韩元也是露出了个灿烂的笑容。

制备出来的碳基光刻胶效果相当不错，被覆盖的区域经过紫外光源的照射后几乎完整的保留了下来。

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